บริษัทหน่วยความจำรายใหญ่ 3 แห่งกำลังแข่งขันกันอย่างดุเดือดในหน่วยความจำบรอดแบนด์เจเนอเรชั่นถัดไป โดยมีกำหนดการผลิตจำนวนมากในครึ่งปีแรกในเกาหลีใต้

เมื่อเร็วๆ นี้ Samsung Electronics ประกาศว่าบริษัทประสบความสำเร็จในการพัฒนา DRAM หน่วยความจำแบนด์วิธสูง (HBM) ขนาด 36 GB ตัวแรกในอุตสาหกรรมโดยใช้เทคโนโลยีการสแต็ก 12 เลเยอร์ 24 กิกะบิ